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一般硅二级管与肖特基二极管的不同点2

时间:2019-10-16信息来源:深圳市韩景元电子有限公司

主要原因在于:

1.点接触管表面不易清洁

针点压力会造成半导体表面畸变

其接触势垒不是理想的肖特基势垒

受到机械震动时还会产生颤抖噪声。面融合型管金半触碰页面较为整平不曝露而最易清理

其接触势垒几乎是理想的肖特基势垒。

2.不同的点接触管在生产时压接压力不同

使得肖特基结的直径不同

因此性能一致性差可靠性也差。面结合型管采用平面工艺

因此性能稳定,一致性好,不易损坏。图中给出一种面结合型二极管的结构图和等效电路。从中可以看出各部分的结构尺寸量级。一般这类管芯要开展封裝能够便捷地应用。肖特基势垒二极管的典型封装结构可采用“炮弹”式、微带式、SOT贴片式等。

:肖特基二极管与普通二极管从外观上如何区分?肖特基二极管与普通二极管标识有何区别?

答:除开型号规格,外观设计上通常没有什么差别,但能够 精确测量顺向压力降开展差别,立即用数字万用表测(小电流量)一般二级管在0.5V左右,肖特基二极管在0.3V下列,大电流量时一般二级管在0.8V上下,肖特基二极管0.5V下列;SR350 就是说表达3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下,没有150V以上的。

什么是快恢复二极管?

快恢复二极管(通称FRD)是这种具备电源开关特点好、反向恢复速度快特性的半导体材料二级管,关键运用于电源变压器、PWM脉宽调制器、软启动器等电子线路中,做为高频率整流二极管、续流二极管或减振二级管应用。

快恢复二极管的内部结构

与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高

一般来说,5-20岁的快速恢复二极管管封装在TO-220FP塑料中,20岁以上的大功率快速恢复二极管封装在顶部带有金属散热片的TO-3P塑料中,5岁以下的快速恢复二极管封装在DO-41DO-15DO-27规格中。

选用TO220TO3P封裝的功率快恢复二极管,有单管和多管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。

1.性能特点

1反向恢复时间

反向恢复時间tr的界定是:电流量根据0点由顺向变换到要求低值易耗的间隔时间。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当tt0时,正向电流I=IF。当tt0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。自此受顺向工作电压的功效,反方向电流量慢慢减少,并在t=t3時刻超过标值Irr。从t2t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。因为基区太薄,反向恢复正电荷不大,不但大大的减少了trr值,还减少了瞬态顺向压力降,使水管能承担很高的反方向工作频率。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。

20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管內部包括二只快恢复二极管,依据二只二级管接线方法的不一样,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,

几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大空间(好几百安~好几千安)的水管则选用地脚螺栓型或平板电脑型封装类型。

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